Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
STF
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
240mΩ
Mode de canal
Épuisement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20.6nC
Dissipation de puissance maximum Pd
29W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
16mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier TO-220FP a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 106,14
€ 106,14 1 Tube of 50 (hors TVA)
1
€ 106,14
€ 106,14 1 Tube of 50 (hors TVA)
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 106,14 |
| 5 - 9 | € 98,92 |
| 10+ | € 92,66 |
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Type de canal
Type N
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600V
Type de Boitier
TO-220
Série
STF
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
240mΩ
Mode de canal
Épuisement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20.6nC
Dissipation de puissance maximum Pd
29W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
16mm
Normes/homologations
UPC
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Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier TO-220FP a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.
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