Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
42A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Série
MDmesh M5
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
63mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension directe Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
98nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Normes/homologations
UPC
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 44,30
€ 6,02 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 44,30
€ 6,02 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 6,02 |
| 100+ | € 5,95 |
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STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
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710V
Série
MDmesh M5
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
63mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension directe Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
98nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Normes/homologations
UPC
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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