Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Module d'alimentation en carbure de silicium
Courant continu de Drain maximum Id
75A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
ACEPACK 2
Série
A2F
Type de support
Chassis
Résistance Drain Source maximum Rds
17mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le module de STMicroelectronics est conçu comme un module de puissance dans une topologie à quatre packs intégrant une technologie avancée de MOSFET de puissance en carbure de silicium. Le module exploite les propriétés innovantes du matériau SiC à large bande interdite et d'un substrat à haute performance thermique.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 921,68
€ 217,871 Each (In a Tray of 18) (hors TVA)
18
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STMicroelectronicsType du produit
Module d'alimentation en carbure de silicium
Courant continu de Drain maximum Id
75A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
ACEPACK 2
Série
A2F
Type de support
Chassis
Résistance Drain Source maximum Rds
17mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le module de STMicroelectronics est conçu comme un module de puissance dans une topologie à quatre packs intégrant une technologie avancée de MOSFET de puissance en carbure de silicium. Le module exploite les propriétés innovantes du matériau SiC à large bande interdite et d'un substrat à haute performance thermique.