Module d'alimentation en carbure de silicium Triphasé canal Type N STMicroelectronics 75 A 1200 V Enrichissement, 8

Le module de puissance de STMicroelectronics représente une branche d'une topologie d'onduleur à 3 niveaux de type T qui intègre la technologie avancée des Power MOSFET en carbure de silicium. Ce module exploite les propriétés innovantes du matériau SiC à large bande interdite et d'un substrat à haute performance thermique. Il en résulte une faible résistance à l'état passant par unité de surface et d'excellentes performances de commutation qui sont pratiquement indépendantes de la température.

• Topologie à 3 niveaux
• Module d'alimentation ACEPACK 2
• 13 mΩ de RDS(on) typique pour chaque commutateur
• Tension d'isolation certifiée UL de 2,5 kVrms
• Capteur de température NTC intégré
• DBC à base de Cu-Al2O3-Cu
• Broches de contact à ajustement serré
• Un capteur NTC complète la conception