Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET RF
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
PD55003L-E
Type de support
En surface
Nombre de broches
14
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
5mm
Hauteur
0.88mm
Normes/homologations
UPC
Gain en puissance typique
19dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,72
€ 5,08 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 33,72
€ 5,08 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 5,08 |
| 100 - 499 | € 5,01 |
| 500 - 2999 | € 4,96 |
| 3000+ | € 4,90 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET RF
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
PD55003L-E
Type de support
En surface
Nombre de broches
14
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
5mm
Hauteur
0.88mm
Normes/homologations
UPC
Gain en puissance typique
19dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.