Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
65A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.59Ω
Mode de canal
Épuisement
Tension directe Vf
3.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
122nC
Dissipation de puissance maximum Pd
318W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
100°C
Longueur
15.75mm
Taille
34.95mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Cela entraîne une résistance à l'état passant inégalée par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 864,48
€ 28,816 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Épuisement
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Température minimum de fonctionnemen
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Taille
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Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Cela entraîne une résistance à l'état passant inégalée par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température.
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