Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 051,54
€ 1,052 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 051,54
€ 1,052 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
