Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 049,89
€ 1,05 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 049,89
€ 1,05 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
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1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,05 | € 1 049,89 |
| 2000+ | € 1,037 | € 1 037,13 |
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STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
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650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
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10.4mm
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No
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