MOSFET N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh DM2

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh DM2

Type de montage

Surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

290mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

9.35mm

Normes/homologations

No

Taille

4.6mm

Standard automobile

No

Pays d'origine

China