Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
STB
Type de Boitier
TO-263
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
La nouvelle technologie MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 257,63
€ 1,258 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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€ 1,258 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
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1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,258 | € 1 257,63 |
| 2000+ | € 1,241 | € 1 241,27 |
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
-60°C
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Longueur
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Hauteur
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La nouvelle technologie MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
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