Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
28A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-263
Série
STB37N60
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
94mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
15.85mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
AEC-Q101
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (QRR) et un temps (TRR) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 833,96
€ 3,834 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Série
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
15.85mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
AEC-Q101
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (QRR) et un temps (TRR) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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