Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
53A
Tension Drain Source maximum Vds
300V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M5
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.04Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
95nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie de processus vertical innovante MDmesh TM M5 combinée à la disposition horizontale PowerMESH TM bien connue. Le produit qui en résulte offre une très faible résistance à l'état passant, ce qui le rend particulièrement adapté pour les applications nécessitant une puissance élevée et un rendement supérieur.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 734,32
€ 3,734 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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TO-263
Série
MDmesh M5
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En surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
95nC
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250W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie de processus vertical innovante MDmesh TM M5 combinée à la disposition horizontale PowerMESH TM bien connue. Le produit qui en résulte offre une très faible résistance à l'état passant, ce qui le rend particulièrement adapté pour les applications nécessitant une puissance élevée et un rendement supérieur.
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