Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.2A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 28,70
€ 2,87 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 28,70
€ 2,87 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 2,87 | € 14,35 |
| 100 - 495 | € 2,251 | € 11,25 |
| 500 - 995 | € 1,91 | € 9,55 |
| 1000+ | € 1,575 | € 7,88 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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5.2A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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No
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