Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Série
FDmesh
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
24.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
109W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,43
€ 3,086 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 15,43
€ 3,086 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,086 | € 15,43 |
| 50 - 120 | € 2,663 | € 13,31 |
| 125+ | € 2,141 | € 10,71 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Série
FDmesh
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
24.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
109W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit