Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
5m
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 47,04
€ 0,632 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 47,04
€ 0,632 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,632 | € 6,32 |
| 500 - 990 | € 0,499 | € 4,99 |
| 1000 - 2490 | € 0,478 | € 4,78 |
| 2500+ | € 0,472 | € 4,72 |
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MOSFET
Type de canal
Type P
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Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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