Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
TO-252
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 60,24
€ 1,205 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 60,24
€ 1,205 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,205 | € 12,05 |
| 100 - 240 | € 1,095 | € 10,95 |
| 250 - 490 | € 1,067 | € 10,66 |
| 500+ | € 1,04 | € 10,40 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
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40V
Type de Boitier
TO-252
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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