MOSFET N STMicroelectronics 40 A 600 V Enrichissement, 4 broches, ISOTOP MDmesh, SuperMESH

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

ISOTOP

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Panel

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum Rds

130mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

307.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

460W

Température de fonctionnement minimum

-65°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

38.2mm

Taille

9.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No