Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh M2
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
320mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
19nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 55,68
€ 1,812 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 55,68
€ 1,812 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,812 | € 9,06 |
| 250 - 495 | € 1,381 | € 6,90 |
| 500+ | € 1,225 | € 6,12 |
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STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
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12A
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600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh M2
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
320mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
19nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
16.4mm
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No
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