MOSFET N STMicroelectronics 4 A 1700 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 STGAP2

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

1700V

Type de Boitier

SO-8

Série

STGAP2

Type de montage

Surface

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1GΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température de fonctionnement minimum

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

5mm

Taille

1.75mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

No

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China