Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.5A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
PowerFLAT
Type de support
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
660mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8.8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
48W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Normes/homologations
UPC
Longueur
6mm
Hauteur
0.95mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
La nouvelle technologie MDmesh TM M6 intègre les progrès les plus récents de la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 505,43
€ 0,835 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Température d'utilisation maximum
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UPC
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No
Pays d'origine
China
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La nouvelle technologie MDmesh TM M6 intègre les progrès les plus récents de la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
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