Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
60mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
360W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Tension directe Vf
-5.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,71
€ 7,71 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 7,71
€ 7,71 Each (hors TVA)
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,71 |
| 10 - 99 | € 6,44 |
| 100+ | € 6,36 |
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Type N
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TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
60mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
360W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Tension directe Vf
-5.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
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Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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