Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
66A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
42mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
446W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
UPC
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 82,40
€ 8,24 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 82,40
€ 8,24 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 8,24 |
| 100 - 1199 | € 8,13 |
| 1200+ | € 8,04 |
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Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-247
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Through Hole
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
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1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Température d'utilisation maximum
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Longueur
15.75mm
Normes/homologations
UPC
Hauteur
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