Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de conditionnement
PDIP W
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
20mm
Taille
5.1mm
Largeur
7.1mm
Dimensions
20 x 7.1 x 5.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
Prix sur demande
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20
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STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de conditionnement
PDIP W
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
20mm
Taille
5.1mm
Largeur
7.1mm
Dimensions
20 x 7.1 x 5.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.