Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
430mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 946,07
€ 0,778 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Série
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Surface
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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