MOSFET N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M2

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh M2

Type de Boitier

TO-252

Type de support

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

320mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Longueur

5m

Standard automobile

No

Pays d'origine

China