Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
1.65mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 35,41
€ 0,568 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 35,41
€ 0,568 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,568 | € 5,68 |
| 500 - 990 | € 0,561 | € 5,61 |
| 1000 - 2490 | € 0,555 | € 5,55 |
| 2500+ | € 0,548 | € 5,48 |
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SOIC
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
En surface
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8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température minimum de fonctionnemen
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
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