Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
420mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.17mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 980,87
€ 0,792 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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En surface
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Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe Vf
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