MOSFET N STMicroelectronics 10 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M2

Brand

Type de canal

Type N

Type du produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh M2

Type de montage

Surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

430mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Taille

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Pays d'origine

China