MOSFET N STMicroelectronics 7 A 710 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance MDmesh TM V à canal N basés sur une technologie de processus vertical propriétaire innovante, qui est combinée à la structure de disposition horizontale PowerMESH TM bien connue de STMicroelectronics. Le produit résultant est doté d'une très faible résistance à l'état passant, qui est inégalée parmi les transistors MOSFET de puissance à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté pour les applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.

• Meilleure zone RDS(on) dans le monde entier
• VDSSrating plus élevé
• Haute capacité dv/dt
• Excellentes performances de commutation
• Facile à piloter
• Applications
• Applications de commutation