Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
10.4mm
Longueur
15.8mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.7mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9 879,41
€ 9,879 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Série
SiC MOSFET
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En surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
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175°C
Hauteur
10.4mm
Longueur
15.8mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.7mm
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