Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.8mm
Hauteur
10.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,11
€ 10,11 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 10,11
€ 10,11 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 10,11 |
| 10 - 499 | € 9,82 |
| 500 - 999 | € 9,70 |
| 1000+ | € 9,59 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.8mm
Hauteur
10.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
