Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,54
€ 2,092 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 33,54
€ 2,092 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 2,092 | € 4,18 |
| 100 - 198 | € 1,595 | € 3,19 |
| 200+ | € 1,426 | € 2,85 |
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STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
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900V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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No
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