Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET H7
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
120W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,79
€ 1,758 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 8,79
€ 1,758 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,758 | € 8,79 |
| 50 - 245 | € 1,699 | € 8,50 |
| 250 - 495 | € 1,648 | € 8,24 |
| 500+ | € 1,428 | € 7,14 |
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Série
STripFET H7
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En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
120W
Température minimum de fonctionnemen
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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