Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh II
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.36Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
27nC
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.1mm
Taille
2.4mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,06
€ 3,413 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
5
€ 17,06
€ 3,413 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,413 | € 17,06 |
| 50 - 120 | € 2,943 | € 14,72 |
| 125+ | € 2,307 | € 11,54 |
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STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
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600V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh II
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.36Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
27nC
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.1mm
Taille
2.4mm
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RoHS
Standard automobile
No
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China
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