Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Série
FDmesh
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
24.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
109W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
5m
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,22
€ 3,044 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Série
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Surface
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3
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380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
24.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
109W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
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