Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 47,39
€ 0,637 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 47,39
€ 0,637 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,637 | € 6,37 |
| 500 - 990 | € 0,503 | € 5,03 |
| 1000 - 2490 | € 0,482 | € 4,82 |
| 2500+ | € 0,476 | € 4,76 |
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Type de canal
Type P
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TO-252
Série
STripFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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Longueur
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Hauteur
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