Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
183nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 13,43
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Paquet de production (Tube)
5
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Type de canal
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Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Through Hole
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
183nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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No
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