MOSFET N STMicroelectronics 50 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2

Name: MOSFET N STMicroelectronics 50 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 1116485
Availability: LimitedAvailability

N° de stock RS: 111-6485Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW56N60DM2

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Documents Techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-247

Série

MDmesh DM2

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

Résistance Drain Source maximum Rds

60mΩ

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum Pd

360W

Température de fonctionnement minimale

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

90nC

Tension directe Vf

-5.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

Standard automobile

Détails du produit

Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.

Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Quantité	Prix unitaire
1 - 9	€ 7,71
10 - 99	€ 6,44
100+	€ 6,36

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Enhancement

Dissipation de puissance maximum Pd

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-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

90nC

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-5.5V

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Longueur

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Quantité

Prix unitaire

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