Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
52A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
MDmesh M2
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
350W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
91nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
No
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 169,73
€ 5,658 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 169,73
€ 5,658 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 5,658 | € 169,73 |
| 150+ | € 5,578 | € 167,33 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
52A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
MDmesh M2
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
350W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
91nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
No
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit