Documents Techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
140A
Tension Drain Source maximum Vds
12V
Type de Boitier
TO-247
Série
MSC035SMA070B4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
8Ω
Dissipation de puissance maximum Pd
1.6W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
99nC
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
2V
Tension directe Vf
1.8V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS, ECOLAB
Standard automobile
No
Détails du produit
La gamme de produits MOSFET de puissance en carbure de silicium Microchip de Micro semi augmente les performances par rapport aux solutions MOSFET et IGBT de silicium, tout en réduisant le coût total de possession pour les applications haute tension.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 44,67
€ 8,93 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 44,67
€ 8,93 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 5 - 9 | € 8,93 |
| 10 - 99 | € 8,76 |
| 100+ | € 8,37 |
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MOSFET
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N
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TO-247
Série
MSC035SMA070B4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
8Ω
Dissipation de puissance maximum Pd
1.6W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
99nC
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
2V
Tension directe Vf
1.8V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS, ECOLAB
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La gamme de produits MOSFET de puissance en carbure de silicium Microchip de Micro semi augmente les performances par rapport aux solutions MOSFET et IGBT de silicium, tout en réduisant le coût total de possession pour les applications haute tension.
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