Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TSMT-5
Type de support
Surface Mount
Nombre de broches
5
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
1.25W
Tension maximale de source de la grille Vgs
-12/12 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Configuration du transistor
Source commune
Largeur
1.6 mm
Longueur
2.9mm
Taille
0.85mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors MOSFET à double canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,37
€ 0,237 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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10
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ROHMType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TSMT-5
Type de support
Surface Mount
Nombre de broches
5
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
1.25W
Tension maximale de source de la grille Vgs
-12/12 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Configuration du transistor
Source commune
Largeur
1.6 mm
Longueur
2.9mm
Taille
0.85mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Pays d'origine
Japan
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