MOSFET canal Type N, Type P STMicroelectronics 9.7 A 650 V Enrichissement, 31 broches, QFN-9 MASTERG

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N, Type P

Courant continu de Drain maximum Id

9.7A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

QFN-9

Série

MASTERG

Type de support

Surface

Nombre de broches

31

Résistance Drain Source maximum Rds

220mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2nC

Dissipation de puissance maximum Pd

40mW

Température minimum de fonctionnement

-30°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

9mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

RoHS, ECOPACK

Standard automobile

No

Pays d'origine

Thailand