Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N, Type P
Courant continu de Drain maximum Id
9.7A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
MASTERG
Type de Boitier
QFN-9
Type de montage
En surface
Nombre de broches
31
Résistance Drain Source maximum Rds
220mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40mW
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
2nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
9mm
Hauteur
1mm
Normes/homologations
RoHS, ECOPACK
Largeur
9mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Le microcontrôleur de STMicroelectronics est un système de puissance avancé en boîtier intégrant un pilote de grille et deux transistors GaN à mode d'amélioration en configuration demi-pont. Les GaN de puissance intégrés ont un RDS(ON) de 150 mΩ, une tension de blocage drain-source de 650 V, tandis que le côté haut du pilote de grille intégré peut être facilement alimenté par la diode d'amorçage intégrée.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12 928,82
€ 4,31 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 12 928,82
€ 4,31 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N, Type P
Courant continu de Drain maximum Id
9.7A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
MASTERG
Type de Boitier
QFN-9
Type de montage
En surface
Nombre de broches
31
Résistance Drain Source maximum Rds
220mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40mW
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
2nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
9mm
Hauteur
1mm
Normes/homologations
RoHS, ECOPACK
Largeur
9mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Le microcontrôleur de STMicroelectronics est un système de puissance avancé en boîtier intégrant un pilote de grille et deux transistors GaN à mode d'amélioration en configuration demi-pont. Les GaN de puissance intégrés ont un RDS(ON) de 150 mΩ, une tension de blocage drain-source de 650 V, tandis que le côté haut du pilote de grille intégré peut être facilement alimenté par la diode d'amorçage intégrée.