Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P, Type N
Courant continu de Drain maximum Id
6.5A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
QFN-9
Série
MASTERG
Type de montage
En surface
Nombre de broches
31
Résistance Drain Source maximum Rds
300mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
1.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40mW
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
9mm
Hauteur
1mm
Normes/homologations
RoHS, ECOPACK
Largeur
9mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Le microcontrôleur de STMicroelectronics est un système de puissance avancé en boîtier intégrant un pilote de grille et deux transistors GaN à mode d'amélioration en configuration demi-pont. Les GaN de puissance intégrés ont un RDS(ON) de 225 mΩ, une tension de blocage drain-source de 650 V, tandis que le côté haut du pilote de grille intégré peut être facilement alimenté par la diode d'amorçage intégrée.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 13 760,34
€ 4,587 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Série
MASTERG
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En surface
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300mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
1.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40mW
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
9mm
Hauteur
1mm
Normes/homologations
RoHS, ECOPACK
Largeur
9mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Le microcontrôleur de STMicroelectronics est un système de puissance avancé en boîtier intégrant un pilote de grille et deux transistors GaN à mode d'amélioration en configuration demi-pont. Les GaN de puissance intégrés ont un RDS(ON) de 225 mΩ, une tension de blocage drain-source de 650 V, tandis que le côté haut du pilote de grille intégré peut être facilement alimenté par la diode d'amorçage intégrée.
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