Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET RF
Type de canal
N
Fréquence d'utilisation
500MHz
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
PD55003L-E
Type de montage
En surface
Nombre de broches
14
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-65°C
Température d'utilisation maximum
+150°C
Configuration du transistor
Single
Hauteur
0.88mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5mm
Gain en puissance typique
19dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15 616,33
€ 5,205 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 15 616,33
€ 5,205 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET RF
Type de canal
N
Fréquence d'utilisation
500MHz
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
PD55003L-E
Type de montage
En surface
Nombre de broches
14
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-65°C
Température d'utilisation maximum
+150°C
Configuration du transistor
Single
Hauteur
0.88mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5mm
Gain en puissance typique
19dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.