Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Puissance de sortie
15W
Type de Boitier
PowerSO
Série
LdmoST
Type de support
En surface
Nombre de broches
10
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-20°C
Température d'utilisation maximum
165°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
9.6mm
Hauteur
3.6mm
Normes/homologations
JEDEC Approved
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 32,33
€ 15,42 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
€ 32,33
€ 15,42 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
2
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 15,42 |
| 100 - 399 | € 15,22 |
| 400+ | € 15,04 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Puissance de sortie
15W
Type de Boitier
PowerSO
Série
LdmoST
Type de support
En surface
Nombre de broches
10
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-20°C
Température d'utilisation maximum
165°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
9.6mm
Hauteur
3.6mm
Normes/homologations
JEDEC Approved
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.