Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
65V
Type de Boitier
B4E
Série
RF2L
Type de support
En surface
Nombre de broches
4
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation maximum
100°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
27.94mm
Hauteur
9.4mm
Normes/homologations
UPC
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Le STMicroelectronics RF2L16180CB4 est un transistor LDMOS à correspondance interne de 180 W, 28 V, conçu pour les applications de station de base WCDMA/PCS/DCS/LTE multiconducteurs et ISM avec des fréquences de 1 300 à 1 600 MHz. Quatre câbles peuvent être configurés en tant que simple extrémité, push-pull à 180 degrés ou hybride à 90 degrés ou Doherty avec un réseau de correspondance externe approprié.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 120) (hors TVA)
120
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