Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
65V
Type de Boitier
B4E
Série
RF2L
Type de montage
Surface
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation maximum
200°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
27.94mm
Hauteur
9.4mm
Normes/homologations
RoHS
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
65V
Type de Boitier
B4E
Série
RF2L
Type de montage
Surface
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation maximum
200°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
27.94mm
Hauteur
9.4mm
Normes/homologations
RoHS
Gain en puissance typique
14dB
Standard automobile
No