Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Dual N
Tension Drain Source maximum Vds
95V
Type de Boitier
LBB
Type de montage
En surface
Nombre de broches
5
Résistance Drain Source maximum Rds
1Ω
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
10V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
28.95mm
Hauteur
2.1mm
Normes/homologations
2002/95/EC
Largeur
5.85mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le transistor FET LDMOS 120 W de STMicroelectronics, conçu pour les communications commerciales à large bande, la diffusion de télévision, l'avionique et les applications industrielles avec des fréquences de HF à 1,5 GHz. Il peut être utilisé dans les classes AB/B et C pour tous les formats de modulation typiques.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17 308,48
€ 173,085 Each (On a Reel of 100) (hors TVA)
100
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Hauteur
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2002/95/EC
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5.85mm
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No
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China
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Le transistor FET LDMOS 120 W de STMicroelectronics, conçu pour les communications commerciales à large bande, la diffusion de télévision, l'avionique et les applications industrielles avec des fréquences de HF à 1,5 GHz. Il peut être utilisé dans les classes AB/B et C pour tous les formats de modulation typiques.
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