canal Type N STMicroelectronics 56 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101

Brand

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

56A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

Hip-247-4

Série

STPOWER Gen3 SiC MOSFET

Type de support

Through Hole

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

37mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

73nC

Dissipation de puissance maximum Pd

389W

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Température d'utilisation maximum

100°C

Longueur

35.9mm

Taille

5.15mm

Normes/homologations

UPC

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China