Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Module d'alimentation en carbure de silicium
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.52Ω
Mode de canal
Épuisement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
4.3V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
34.95mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics offre une très grande variation de résistance contre ambiante. Il offre une très grande capacité de température d'utilisation.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Module d'alimentation en carbure de silicium
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.52Ω
Mode de canal
Épuisement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
4.3V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
34.95mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics offre une très grande variation de résistance contre ambiante. Il offre une très grande capacité de température d'utilisation.