Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Module d'alimentation en carbure de silicium
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
16A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.52Ω
Mode de canal
Épuisement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
153W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
3.6V
Température d'utilisation maximum
100°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.8mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics offre une très grande variation de résistance contre ambiante. Il offre une très grande capacité de température d'utilisation.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 368,48
€ 368,48 1 Tube of 30 (hors TVA)
1
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Module d'alimentation en carbure de silicium
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
16A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.52Ω
Mode de canal
Épuisement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
153W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
3.6V
Température d'utilisation maximum
100°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.8mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics offre une très grande variation de résistance contre ambiante. Il offre une très grande capacité de température d'utilisation.